بررسی فرآیند پلیمریزاسیون پلاسمایی برای تولید لایه سیلیکاتی متخلخل

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 320

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJSSE-16-45_004

تاریخ نمایه سازی: 8 دی 1400

چکیده مقاله:

در این تحقیق، لایه سیلیکاتی فلوئوردار به روش پلیمریزاسیون پلاسمایی و با استفاده از دستگاه پلاسمایی فرکانس رادیویی تولید شده است. به منظور کاهش ضریب شکست لایه ها، تخلخل های ساختاری در لایه ایجاد شد. میزان ناخالصی، ضریب جذب اپتیکی، زبری سطح و میزان چگالی جریان تراوشی و آستانه میدان شکست لایه ها مورد بررسی قرار گرفتند. به منظور بررسی فرآیند پلیمریزاسیون پلاسمایی، نوع گاز فلوئوردار و فشار کاری و همچنین قرار دادن پایه برای بسترهای سیلیکونی مورد آزمایش قرار گرفتند. حالت های پیوند شیمیایی لایه ها و ریخت شناسی سطح لایه ها به ترتیب توسط طیف‎سنج تبدیل فوریه مادون قرمز و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفت. علاوه بر این، مطالعه ضریب شکست و ضریب جذب لایه ها نیز توسط دستگاه بیضی سنجی طیفی انجام گرفت. نتایج نشان داد لایه سیلیکاتی فلوئوردار با خلوص بالا و تخلخل های ساختاری، دارای ضریب شکست فوق کم (۱.۱۷ و ۱.۰۹) و ثابت خاموشی کمتر از ۴-۱۰ است و افزایش فشار و همچنین قرار دادن پایه برای بستر ها موجب افزایش ناخالصی های آلی به ویژه پیوندهای کربنی و به موجب آن از بین رفتن تخلخل های ساختاری لایه شد که در مجموع منجر به افزایش ضریب شکست (۱.۳۹ و ۱.۳۷) و ثابت خاموشی (۰.۰۰۴ و ۰.۰۰۰۵) لایه ها شده است.

نویسندگان

مرضیه عباسی فیروزجاه

گروه علوم مهندسی، دانشکده مهندسی، دانشگاه فناوری های نوین سبزوار، سبزوار، ایران

بابک شکری

پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهیدبهشتی تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. Memisevic, V. Korampally, S. Gangopadhyay, S.A. Grant, Characterization of ...
  • S. G. Yoon, S. M. Kang, W. S. Jung, H. ...
  • S.-H. Jeong, J. Nishii, H.-R. Park, J.-K. Kim, B.-T. Lee, ...
  • S.-J. Jung, B.J. Kim, M. Shin, Low-refractive-index and high-transmittance silicon ...
  • H. Zhou, H.K. Kim, F.G. Shi, B. Zhao, Optical properties ...
  • S.T. Hwang, D.J. You, S.H. Kim, S. Lee, H.M. Lee, ...
  • V. Hody-Le Caër, E. De Chambrier, S. Mertin, M. Joly, ...
  • Y.C. Tsai, J. Shieh. Growing invisible silica nanowires on fused ...
  • مظفری نیا رضا، ارزیابی ضریب شکست نور در لایه های ...
  • M. R. Wang, Rusli, M. B. Yu, N. Babu, C. ...
  • F.J. Garcia-Garcia, J. Gil-Rostra, A. Terriza, J.C. González, J. Cotrino, ...
  • M.D. Barankin, T.S. Williams, E. Gonzalez, R.F. Hicks, Properties of ...
  • W.L. Lu, T.W. Kuo, C.H. Huang, N.F Wang, Y.Z. Tsai, ...
  • S. Yu, J.S. Lee, S. Nozaki, J. Cho, Microstructure developments ...
  • P. Kirsch, Modern fluoroorganic chemistry: synthesis, reactivity, applications (Wiley-VCH), p.۱ ...
  • X. Guo, J.E. Jakes, M.T. Nichols, S. Banna, Y. Nishi, ...
  • S.K. JangJean, C.P. Liu, Y.L. Wang, W.S. Hwang, W.T. Tseng, ...
  • V. Hody-Le Caër, E. De Chambrier, S. Mertin, M. Joly, ...
  • M. Abbasi-Firouzjah, B. Shokri, Deposition of high transparent and hard ...
  • M. Abbasi-Firouzjah, S.I. Hosseini, M. Shariat, B. Shokri, The effect ...
  • A.M. Mahajan, L.S. Patil, J.P. Bange, D.K. Gautam, Growth of ...
  • J. Schäfer, J. Hnilica, J. Šperka, A. Quade, V. Kudrle, ...
  • H. Zhang, Z. Guo, Q. Chen, X. Wang, Z. Wang, ...
  • Y.H. Kim, M.S. Hwang, H. J. Kim, Infrared spectroscopy study ...
  • D.W. Berreman, Infrared absorption at longitudinal optic frequency in cubic ...
  • S.C. Deshmukh, E.S. Aydil, Investigation of SiO۲ plasma enhanced chemical ...
  • P. Uznanski, B. Glebocki, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, J. Zakrzewska, A.M. Wrobel, ...
  • J. W. Yi, Y. H. Lee, and B. Farouk, Low ...
  • T.K.S. Wong, B. Liu, B. Narayanan, V. Ligatchev, R. Kuma, ...
  • M. Klevenz, S. Wetzel, M. Moller, A. Pucci, Evaporation and ...
  • M.T. Kim, Deposition kinetics of silicon dioxide from tetraethylorthosilicate by ...
  • A. Fridman, L.A. Kennedy, Plasma Physics and Engineering (second edition), ...
  • R.T. Sanderson, Chemical Bonds Bond Energy, Academic Press, New York, ...
  • S. I. Hosseini, M. Sharifian, and B. Shokri, Single and ...
  • E.A. Haupfear, E.C. Olson, L.D. Schmidt, Kinetics of SiO۲ deposition ...
  • Q. Chen, Y. Zhang, E. Han, Y. Ge, SiO۲-like film ...
  • A. Barranco, J. Cotrino, F. Yubero, J.P. Espino´s, J. Ben´ıtez, ...
  • J. Gong, R. Dai, Z. Wang, C. Zhang, X. Yuan, ...
  • M. T. Othman, J. A. Lubguban, A. A. Lubguban, and ...
  • V. Ion, A. Andrei, M. Dinescu, N.D. Scarisoreanu, Optical Properties ...
  • P.F. Wang, S.J. Ding, W. Zhang, J.Y. Zhang, J. T. ...
  • W. C. Ee, K. Y. Cheong, Effects of annealing temperature ...
  • نمایش کامل مراجع