ایجاد پوشش شفاف و ضد الکتریسیته ساکن روی زیرلایه پلی(متیل متاکریلات)

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 276

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJSSE-12-29_002

تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1400

چکیده مقاله:

در این تحقیق به وسیله دستگاه پوشش دهی چرخشی روی زیرلایه پلی (متیل متاکریلات)، پلیمر رسانای پلی (۳،۴- اتیلن دی اکسی تیوفن) از مونومر ۴،۳- اتیلن دی اکسی تیوفن به روش پلیمری شدن درجا، سنتز شد. در ادامه اثر پارامترهای دمای پخت، زمان پخت و سرعت پوشش دهی، بر ویژگی های ساختاری، نوری، الکتریکی و مکانیکی این پوشش موردبررسی قرار گرفت. برای این منظور از طیف سنجی تبدیل فوریه-مادون قرمز (FT-IR)، طیف سنجی ماوراءبنفش-مرئی (UV-Vis)، اندازه گیری مقاومت الکتریکی و آزمون تپ استفاده شد. نتایج نشان داد که یک سطح با مقاومت الکتریکی ۳۸/۶۱ کیلو اهم، با شفافیت خوب و چسبندگی مطلوب برای کاربردهای ضد الکتریسیته ساکن به دست آمده است. همچنین  این داده ها نشان می دهد مقاومت این پوشش های پلیمری از مقاومت ۱۰۸ اهم کمتر است. از آنجا که کاهش مقاومت الکتریکی پلیمر تا ۱۰۸ اهم  و کمتر از این مقدار می تواند تجمع الکتریسیته ساکن در سطح پلیمر را کاهش دهد،  بنابراین پوشش پلیمری ایجاد شده روی زیر لایه پلی(متیل متاکریلات)، توانایی کاهش تجمع الکتریسیته ساکن را دارد.

کلیدواژه ها:

پوشش شفاف ، پوشش ضد الکتریسیته ساکن ، پلی (متیل متاکریلات) ، پلی (۴ ، ۳- اتیلن دی اکسی تیوفن)

نویسندگان

فریبرز اتابکی

دانشکده شیمی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

مهران عربی

دانشکده شیمی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

غلامعلی کوهمره

دانشکده شیمی، دانشگاه اصفهان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • R. B. Rosner, Conductive materials for ESD applications: an overview, ...
  • D. Kontziampasis, G. Boulousis, A. Smyrnakis, K. Ellinas, A. Tserepi, ...
  • M. E. L. Wouters, D. P. Wolfs, M. C. van ...
  • C. C. Chang, F. H. Hwang, C. Y. Hsieh, C. ...
  • M. Omastova, J. Pavlinec, J. Pionteck, F. Simon, S. Kosina, ...
  • A. Elschner, S. Kirchmeyer, W. Lovenich, U. Merker, K. Reuter, ...
  • C. Terrier, J. P. Chatelona, R. Berjoanb, J. A. Rogera, ...
  • D. R. Uhlmann, T. Suratwala, K. Davidson, J. M. Boulton, ...
  • D. M. de Leeuw, P. A. Kraakman, P. F. G. ...
  • T. S. Hansen, K. West, O. Hassagera, N. B. Larsen, ...
  • E. D. Emmons, R. G. Kraus, S. S. Duvvuri, J. ...
  • M. Mumtaz, E. Ibarboure, C. Labrugere, E. Cloutet, H. Cramail, ...
  • G. Duan, C. Zhang, A. Li, X. Yang, L. Lu, ...
  • M. A. Floresa, R. Castanedoa, G. Torresa, O. Zelaya, Optical, ...
  • T. Y. Kim, J. E. Kim, K. S. Suh, Effects ...
  • T. Y. Kim, C. M. Park, J. E. Kim, K. ...
  • L. B. Valdes, Resistivity Measurements on Germanium for Transistors, Proceedings ...
  • نمایش کامل مراجع