ترابرد اسپینی وابسته به اعمال تنش مکانیکی در مولکول های DNA: رهیافتی به پیزوالکترونیک اسپینی

جهان پیرامون ما از مواد مختلف با ساختارهای متفاوت تشکیل شده است که در آن ساختارهای اسپینی نقش محوریدر دستگاه های الکترونیک اسپینی، فناوری اطلاعات معاصر ایفا می کند. اسپینترونیک یکی از زمینه های نوظهور برای دستگاه-های نانوالکترونیکی نسل بعدی می باشد که باعث کاهش مصرف انرژی، افزایش حافظه و پردازش اطلاعات می باشد. از طرفیمواد آلی سنتزشده با عناصر سبک به طور گسترده ای در اسپینترونیک آلی به دلیل جفت شدگی اسپین-مدار ضعیف آنهااستفاده شده است. ما در این بررسی از یک اثر جدید به نام پیزواسپینترونیک برای تولید جریان های اسپینی خالص در یکماده زیستی استفاده کردیم. ما جریان های اسپینی را در اتصالات مولکول DNA تحت تاثیر تنش اعمالی و میدان مغناطیسی بررسی کردیم. با رسم نمودار جریان اسپینی بر حسب ولتاژ، در نواحی با افزایش ولتاژ شاهد افزایش جریان اسپینی (نواحیشبه اهمیک) و در محدودهای با افزایش ولتاژ شاهد کاهش جریان اسپینی بودیم که این نواحی به عنوان مقاومت دیفرانسیلیمنفی قطبیده اسپینی (SPNDR) بیان شد.