اثرپارامترهای فرایند تولید کامپوزیت های مغناطیسی نرم SMC) برمقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی

دراین پژوهش کامپوزیت های مغناطیسی نرم به روش فشردن گرم تولید شده اند نمونه های حاوی درصدهای مختلف از رزین فنولیک درفشارهای 950 MPa تا 450MPa دردماهای 150 تا 300 درجه سانتیگراد برای مدت 30 تا 90 دقیقه پرسش ده و درنهایت در زمانهای 8 تا 72 ساعت عملیات حرارتی شده اند سپس مقاومت الکتریکی و خواص مغناطیسی نمونه ها اندازه گیری شد نتایج حاصله نشان میدهد که فشار 850 MPa افزایش فشار فشردن سبب افزایش چگالی شار مغناطیسی می شود ولی فشارهای بالاتر منجر به افت آن میگردد بررسی اثر پارامترهای فرایند برمقاومت الکتریکی نیز نشان داد که افزایش فشار فشردن افزایش زمان عملیات حرارتی و کاهش درصد وزنی رزین باعث کاهش مقاومت الکتریکی نمونه ها می شود.