رفتار انبساط حرارتی کامپوزیت های Al-۴%Cu/SiC ساخته شده به روش متالورژی پودر

در پروژه حاضر، رفتار انبساط حرارتی کامپوزیت های زمینه آلومینیومی تقویت شده با ذرات SiC تا دمای ۵۰۰ درجه سانتی گراد مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور از تجهیزات آنالیز حرارتی استفاده شد. هدف اصلی توضیح حالت رفتار انبساط حرارتی کامپوزیت های زمینه آلومینیومی تقویت شده با درصدهای مختلف SiC و نیز تاثیر اندازه ی ذرات تقویت کننده بر رفتار حرارتی است. که به عنوان مواد پایه در صنایع الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرند. کامپوزیت های با درصد مختلف تقویت کننده حاوی (۱۰،۱۵،۲۰ و ۲۵%) و با مش بندی های مختلف (۱۰۰،۴۵ و ۱۵۰ میکرون) ذرات تقویت کننده ی SiC که با آلیاژ زمینه ی Al-۴%Cu و به روش ساخت متالورژی پودر مورد بررسی قرار گرفت. ضریب آنی انبساط حرارتی که تابعی از دما است با پیش بینی هایی از مدل های ترموالاستیک بر اساس مدل شاپری و ترنر مورد قیاس قرار گرفت. رفتار انبساط حرارتی وابسته به عواملی گوناگون نظیر میکروساختار، تغییر شکل زمینه و شرایط تنش های داخلی است. وابستگی انحلال مس در آلومینیوم به دما روی ضریب انبساط حرارتی آلیاژ زمینه Al-۴%Cu تاثیر قابل ملاحظه ای بر رفتار حرارتی کامپوزیت دارد. با توجه به نتایج آزمایشات با افزایش درصد ذرات سرامیکی کاربید سیلیسیم، مقدار ضریب انبساط حرارتی کامپوزیت کاهش پیدا کرده است.