طراحی و ساخت دستگاه اندازه گیری دز پرتوهای گاما با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت براساس جابه جایی ولتاژ آستانه

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 225

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_RSM-9-1_006

تاریخ نمایه سازی: 15 فروردین 1401

چکیده مقاله:

یکی از مسائل بسیار مهم در تاسیسات پرتودهی و ماموریت های فضایی، تعیین دز حاصل از ذرات یونیزان موجود در محیط پرتویی است. دزیمترهای ماسفت از جمله ابزارهای اندازه گیری دز در این محیط ها می باشند که علاوه بر حساسیت بسیار بالا نسبت به پرتو، قابلیت تحمل شار بالایی از ذرات را نیز دارند. این ابزار هم چنین دارای حجم کوچک، توان مصرفی پایین و قابلیت اطمینان بالا هستند. هدف از این کار، طراحی و ساخت یک سامانه دزیمتر پرتویی ماسفت براساس تغییرات ولتاژ آستانه ترازیستور می باشد. کالیبراسیون پرتویی این سامانه با پرتودهی ماسفت ها در دزهای مختلف (از ۵ تا Gy ۱۰۰) در آزمایشگاه استاندارد ثانویه SSDL، سازمان انرژی اتمی، کرج انجام گرفت. وابستگی دمایی این ترانزیستورها نیز با توجه به ضریب تغییرات دمایی در تمامی این اندازه گیری ها لحاظ شد. نتایج نشان می دهد، پاسخ این ماسفت ها به دز پرتویی مختلف تقریبا به صورت خطی بوده و دارای حساسیتی در حدود ۱ تا mV/Gy ۶ است که می توان بسته به محیط پرتوی و ابعاد مورد نیاز این ماسفت ها از انواع مختلف آن استفاده کرد.

نویسندگان

سعید بوربور

Shahid Beheshti University

حمید جعفری

Shahid Beheshti University

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • W. Schimmerling. Space Radiation Dosimetry, NASA, (۱۹۹۸) ...
  • A. Ballesteros, L. Debarberis, W. Voorbraak, J. Wagemans and P. ...
  • M.G. Stabin, M. Tagesson, S.R. Thomas, M. Ljungberg and S.E. ...
  • L. Frohlich. DOSFET-L۰۲: An advanced online dosimetry system for radfet ...
  • L.J. Asensio, M.A. Carvajal , J.A. Lopez-Villanueva, M. Vilches, A.M. ...
  • S.J. Kim, K.W. Min and D. Ko. Use of a ...
  • D.K Schroeder. Semiconductor material and device characterization, ۲nd ed. NewYork: ...
  • T.R. Oldham and F.B. McLean. Total ionizing dose effects in ...
  • X. Zhou, K.Y. Lim and D.A. Lim. simple and unambiguous ...
  • H. Katto. Device parameter extraction in the linear region of ...
  • J. Wang, M. Xu and C. Tan. An accurate relationship ...
  • P.R. Karlsson and K.O. Jeppson. An efficient method for determining ...
  • C. Tan, M. Xu and Z. Wang. Proportional difference operator ...
  • M.M. Lau, C.Y.T. Chiang, Y.T. Yeow and Z.Q. Yao. Measurement ...
  • C. Galup-Montoro, M.C. Schneider, A.L. Koerich and R.L.O. Pinto. MOSFET ...
  • F. Thomas and W.T. Holman. MOSFET threshold voltage extractor circuits ...
  • نمایش کامل مراجع