بررسی جذب گاززنون روی سطح گرافن نقص دار با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی

یکی از کاربردهای مهم گرافن استفاده از آن برای ساخت حسگرهای گازی است چون گرافن های تولید شده در آزمایشگاه معمولا نقص دار هستند بنابراین دراین پژوهش با روش شبیه سازی دینامیک مولکولی جذب هم دمای گاز زنون Xe روی گرافن با نقص استون - ولز بررسی شده است دراین شبیه سازی ازپتانسیل بس ذره ای برتر برای شبیه سازی برهم کنش کربن -c کربن که درصفحه گرافن و پتانسیل دو ذره ای لنارد - جونز برای شبیه سازی برهم کنش Xe-C Xe-Xe استفاده شده است دراین مقاله تابع توزیعی شعاعی میزان پوشش جذب گرمای جذب و انرژی بستگی گازهای جذب شده دردماهای بین 90 k تا 130k و فشارهای مختلف اندازه گیری شده اند نتیجه ها نشان میدهد که این ماده می تواندنامزد مناسبی برای جذب گاز xe باشد.