بررسی جمع کننده های تقریبی بر پایه ترانزیستورهای نانو لوله کربنی و ارزیابی طرح ها با معیارهای فاصله خطا

امروزه با تولید حجم وسیعی از داده ها که نیاز به پردازش دارند، انرژی بسیار زیادی در صرف انجام محاسبات بر روی آنها می شود، و در مراکز بزرگ تحلیل داده نیاز است سیستم های خنک کننده پیچیده، گرما را به بیرون هدایت کنند. از طرفی دستگاه های قابل حمل نیز رشد چشمگیری داشته اند که دارای باتری هایی با طول عمر محدود هستند. از اینرو طراحی مدارهای دیجیتال کم توان حائز اهمیت خواهد بود . سلول تمام جمع کننده در مدارهای بزرگ تری همچون جمع کننده/تفریق کننده چند بیتی استفاده می شود. علاوه براین، بر روی عملکرد مدارهای ضرب کننده، تقسیم کننده و همچنین مدارهای پردازش سیگنال دیجیتال نیز تاثیرگذار هستند. با توجه به این مطالب، سلول تمام جمع کننده یک بیتی می تواند تاثیر بسزایی در بهبود معیارهای طراحی مدار داشته باشد. همچنین با استفاده از روش محاسبات نادقیق و تکنولوژی های جدیدی مانند ترانزیستورهای نانو لوله کربنی نیز کمک می کند تا به سخت افزار کارآمدتری دست یابیم. بنابراین، قصد داریم در این مقاله به بررسی برخی از ساختارهای تمام جمع کننده های نادقیق بپردازیم که با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی طراحی شده اند و طرح های مختلف را از لحاظ عملکرد و پارامترهای تحلیل خطا مانند معیار میانگین فاصله خطا و فاصله خطای نرمال شده به طور کامل مورد نقد و بررسی قرار دهیم .