Performance evaluation of Carbon nanotube junctionless tunneling field effect transistor (CNT-JLTFET) under torsional strain: A quantum simulation study
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو، دوره: 11، شماره: 3
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 104
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJND-11-3_006
تاریخ نمایه سازی: 17 خرداد 1401
چکیده مقاله:
In this paper, the performance of a CNT-JLTFET under different values of torsional strains of ۰, ۳, and ۵ degrees has been investigated. Simulation has been carried out using non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism in the mode-space approach and in the ballistic limit. The simulation results indicate that, under torsional strain, an increase occurs in the energy band-gap, and thus the on- and off-currents are reduced, thought that reduction has a greater percentage in the off-current, resulting in the increase in the ON/OFF current ratio. Besides, the switching characteristics of the device including power-delay product (PDP) and intrinsic delay (τ) have been studied.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Soheila Moghadam
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Seyed Saleh Ghoreishi
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Reza Yousefi
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Habib Adarang
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :