Analysis and study of geometrical variability on the performance of junctionless tunneling field effect transistors: Advantage or deficiency?

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 167

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJND-9-3_006

تاریخ نمایه سازی: 22 خرداد 1401

چکیده مقاله:

This study investigates geometrical variability on the sensitivity of the junctionless tunneling field effect transistor (JLTFET) and Heterostructure JLTFET (HJLTFET) performance. We consider the transistor gate dielectric thickness as one of the main variation sources. The impacts of variations on the analog and digital performance of the devices are calculated by using computer aided design (CAD) tools. The gate oxide thickness is varied uniformly from right to left and vice versa and the performance of devices are analyzed. It is shown that changes in the geometric dimensions of the devices improves some electrical parameters and degrades others. Finally, we use the oxide thickness variation advantage and implement the oxide pocket close to the drain-channel interface for proposing of the pocket in narrower drain side oxide HJLTFET (PNS-HJLTFET).

کلیدواژه ها:

Ambipolar current ، Geometrical variability ، Heterostructure ، Junctionless tunnel field-effect transistor ، Oxide pocket

نویسندگان

Fayzollah Khorramrouz

Department of Electrical Engineering, Rasht Branch, Islamic Azad University, Rasht, Iran.

Seyed Ali Sedigh Ziabari

Department of Electrical Engineering, Rasht Branch, Islamic Azad University, Rasht, Iran.

Ali Heydari

Department of Electrical Engineering, Guilan University, Rasht, Iran.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Seabaugh A. C., Zhang Q., (۲۰۱۰), Low-voltage tunnel transistors for ...
  • Choi W. Y., Park B. G., Lee J. D., Liu ...
  • Kam H., King-Liu T. J., Alon E., Horowitz M., (۲۰۰۸), ...
  • Ionescu A. M., Riel H., (۲۰۱۱), Tunnel field-effect transistors as ...
  • Anand S., Sarin R. K., (۲۰۱۶), Analog and RF performance ...
  • Boucart K., Ionescu A. M., (۲۰۰۷), Double-gate tunnel FET with ...
  • Chen Z. X., (۲۰۰۹), Demonstration of tunneling FETs based on ...
  • Saurabh S., Kumar M. J., (۲۰۰۹), Impact of strain on ...
  • Knoch J., Mantl S., Appenzeller J., (۲۰۰۷), Impact of the ...
  • Damrongplasit N., Kim S. H., Liu T-J. K., (۲۰۱۳), Study ...
  • Ying Zhu Y., (۲۰۱۳), Numerical study on effects of random ...
  • Rahimiana M., Fathipour M., (۲۰۱۶), N-P-N bipolar action in junctionless ...
  • Kumar M. J., Sahay S., (۲۰۱۶), Controlling BTBT-induced parasitic BJT ...
  • Abdi D. B., Jagadesh Kumar M., (۲۰۱۴), Controlling ambipolar current ...
  • Rahimian M., Fathipour M., (۲۰۱۶), Junctionless nanowire TFET with built-in ...
  • Nayak K., Agarwal S., Bajaj M., Oldiges P. J., Muralli ...
  • Bajaj M., Nayak K., Gundapaneni G., Rao V. R., (۲۰۱۶), ...
  • Yu T., Wang R., Huang R., (۲۰۱۰), Simulation of line-edge ...
  • Lee C. W., Afzalian A., Akhavan N. D., Yan R., ...
  • Colinge J. P., (۲۰۱۰), Nanowire transistors without junctions. Nat. Nanotechnol. ...
  • Colinge J. P., (۲۰۱۱), Junctionless transistors: Physics and properties. in ...
  • Rahimian M., Fathipour M., (۲۰۱۶), Junctionless nanowire TFET with built-in ...
  • Balaz D., (۲۰۱۱), Current collapse and device degradation in AlGaN/GaN ...
  • Daumiller I., Kirchner C., Kamp M., Ebeling K. J., Kohn ...
  • Ambacher O., (۱۹۹۹), Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and ...
  • Tzeng S., (۲۰۱۷), Low-frequency noise sources in III-V semiconductor heterostructures-susie ...
  • Aghandeh H., Ali S., Ziabari S., (۲۰۱۷), Gate engineered heterostructure ...
  • Simon M. S., Kwok K. Ng, (۲۰۱۴), Physics of semiconductor ...
  • Schenk A., (۱۹۹۳), Rigorous theory and simplified model of the ...
  • Takayanagi M., Iwabuchi S., (۱۹۹۱), Theory of band-to-band tunneling under ...
  • Ahish S., Sharma D., Vasantha M. H., Kumar Y. B. ...
  • Akram M. W., Ghosh B., (۲۰۱۴), Analog performance of double ...
  • Cecil K., Singh J., (۲۰۱۷), Influence of Germanium source on ...
  • Anand S., Sarin R. K., (۲۰۱۷), Dual material gate doping-less ...
  • Li W., Liu H., Wang S., Chen S., (۲۰۱۶), Analog/RF ...
  • Mojumder N. N., Roy K., (۲۰۰۹), Band-to-Band tunneling ballistic nanowire ...
  • Garg S., Saurabh, S., (۲۰۱۷), Suppression of ambipolar current in ...
  • Taur Y., Ning T. H., (۲۰۰۲), Fundamentals of modern VLSI ...
  • Koswatta S. O., Lundstrom M. S., Nikonov D. E., (۲۰۰۹), ...
  • نمایش کامل مراجع