تحلیل و طراحی و مدلسازی دوبعدی ترانزیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک TiO۲
محل انتشار: فصلنامه کهربا، دوره: 9، شماره: 35
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 161
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_KHRBA-9-35_006
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1401
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی و تحلیل و مدل سازی ترانزیستور تونلی شاتکی با استفاده از TiO۲ برای دی الکتریک گیت انجام شده است. وجود یک تونلینگ شاتکی در رابط کانال سورس و جریان درین به دلیل تونل سازی پیشرفته از یک باند شارژ به باند دیگر در ناحیه رابط تقاطع ها باعث بهبود قابل توجه ترانزیستور میشود. با این کار هدایت و در نتیجه میزان تونل زنی افزایش میابد.در نهایت باعث افزایش کارایی ترانزیستور میشود. مدل مورد استفاده در طراحی ترانزیستور بر مبنای پتانسیل سطح در امتداد کانال با استفاده از معادله پواسون دو بعدی با شرایط مرزی مناسب طراحی کوتاهترین فاصله بین سورس / کانال و جریان سورس درین استوار می باشد. با توجه به افزایش میزان تونل زنی، که این امر موجب کاهش جریان میشود، ترانزیستور پیشنهادی مدلی برای مکمل های فلزی اکسیدهای نیمه هادی و (CMOS) است که شبیه ساز این مدل را با سیلواکو انجام دادیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پریسا سروی
کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال
حامد امین زاده
دانشیار دانشکده برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال
جواد جوادی مقدم
استادیار دانشکده برق الکترونیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شمال