مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند با مواد کانال همگون و ناهمگون(InGaP ,InP, InGa/ InP)

جریان حالت خاموش، چالش اساسی ترانزیستورهای بدون پیوند است. با انتخاب ماده کانال به صورت ساختار ناهمگون، شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد به نحوی که جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا نکند. از این جهت در این تحقیق ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد ناهمگونInP/InGaP در مقابل ترانزیستورهای با کانال همگونInP و InGaP معرفی شده و برای شبیه سازی ترانزیستورها از معادلات تابع گرین غیر تعادلی استفاده شده است. نتایج نشان میدهد، ترانزیستور بدون پیوند با ساختار کانال ناهمگون InP/InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش است. برای ترانزیستور بدون پیوند با کانال ناهمگون مقادیر جریان حالت خاموش، شیب زیر آستانه، دیبل، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش محاسبه و با کانال همگون مقایسه شده و مقادیر این مشخصات در طول گیت ۱۰ نانومتر به ترتیب برابر است با ۱/۷۳×۱۰-۱۴ A، ۶۰/۲ mV/dec، ۷/۷mV/V، ۹/۱۷×۱۰-۶ A و ۳/۳۸×۱۰۸.