تاثیر چگالی جریان اعمالی در رسوب دهی الکتروشیمیایی پوشش کلسیم فسفات بر روی زیرلایه کامپوزیتی متخلخل Ti-۱۰Mo-۲ (TiC & TiB۲)

در پژوهش حاضر کامپوزیت متخلخل Ti-۱۰Mo-۲ (TiC & TiB۲) تف جوشی شده در دمای ℃۱۱۵۰ به عنوان زیرلایه جهت اعمال پوشش کلسیم فسفات (CaP) با روش رسوب دهی الکتروشیمیایی انتخاب شد. پوشش دهی با تکنیک DC در سه چگالی جریان مختلف mA.cm-۲ ۵/۰، ۶/۰ و ۷/۰ به مدت زمان ۳۰ دقیقه همراه با دمش گاز آرگون انجام گرفت. همچنین، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)برای بررسی مطالعه سطح زیرلایه متخلخل و مورفولوژی رسوبات کلسیم فسفاتی، طیف سنجی توزیع انرژی پرتو ایکس (EDS) برای اندازه گیری نسبت Ca/P و پراش پرتو اشعه ایکس (XRD) برای شناسایی ترکیب فازی پوشش-های حاصل به کار گرفته شد. نتایج نشان دادند که با افزایش چگالی جریان اعمالی به دلیل افزایش تصاعد گاز هیدروژن در حین پوشش دهی، توزیع مورفولوژی پوشش ناهگمن تر می شود. الگوهای XRD نشان دادند که پوشش های حاصل حاوی عمدتا فاز غالب هیدرکسی آپاتیت (HA) و مقادیر اندک فاز اکتا کلسیم فسفات (OCP) هستند. همچنین نسبت Ca/P برای پوشش اعمالی در چگالی جریان پایین mA.cm-۲ ۵/۰ برابر ۶۷/۱ به دست آمد که برابر این نسبت در HA می باشد.