طراحی و شبیه سازی ترانزیستور های اثر میدان

با رشد سریع فناوری ساخت مدار های الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، چالش های فراوانی را نیز متخصین الکترونیک قرار داده است . برخی از این چالش ها مربوط به فرایند و فناوری ساخت مدار های الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک تر شدن ابعاد ترانزیستور ها است. ویژگی های چشمگیر مداراها و ترانزیستور های اثر میدانی نانو لوله کربنی نشانگر این است که نقش مهمی در سیستم های الکترونیکی ایفا کنند .در سال های اخیر کاربرد ترانزیستورهای سیلیکونی درمدار مجتمع افزایش یافته است چرا که این ترانزیستورها نه تنها به عنوان عنصر فعال بلکه به عنوان خازن و مقاومت نیز استفاده میشود هر چند مدارهای ساخته شده با ماسفت نسبت به مدارهای ساخته شده با بی جی تی ها پیچیده تر و سرعت کمتری دارند ،اماهزینه ساخت کمتر و نیز فضای کمتری اشغال میکنند. در این مقاله به چند نوع ترانزیستور های اثر میدان میپردازیم