سوئیچینگ مقاومتی عملیات سازنده اولیه بسیار قابل اعتماد توسط مهندسی دفاع

برای دستیابی به حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی (ReRAM)با قابلیت اطمینان سوئیچینگ عالی، اثرات مهندسی توده و نقص لایه های اکسید فلزی روی یکنواختی سوئیچینگ مقاومتی مورد بررسی قرار گرفت. تغییر شکل یکنواخت، پارامترهایی مانند ولتاژ ثابت (Vset)، ولتاژ ریست مجدد (Vreset)، حالت مقاومت پایین، حالت مقاومت بالا، و ویژگی های نگهداری، به طور قابل توجهی توسط مهندسی توده و نقص بهبود یافتند. بعلاوه، عملیات تشکیل اولیه، که مایه زحمت است، برای تحقق بخشیدن به ReRAM نقطه متقابل حذف شد