بررسی رفتار مواد فروالکتریک جدید عایقی و کاربرد آن ها در طراحی خازن های فشار قوی ذخیره ساز انرژی الکتریکی با تاکید بر باریم تیتانات

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 223

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_ELEMAG-9-2_011

تاریخ نمایه سازی: 24 مهر 1401

چکیده مقاله:

هدف از این مقاله طراحی خازن فشار قوی جدیدی می باشد که بین صفحات آن به جای استفاده از عایق­های معمول از ماده فروالکتریک باریم تیتانات که ضریب گذردهی نسبی بالایی دارد استفاده شده است. اهداف این پژوهش در واقع رسیدن به مدل کامل الکتریکی از مواد فروالکتریک، با تاکید بر ماده باریم تیتانات می باشد که وابستگی ضریب تلفات عایقی و عدد دی­الکتریک نسبی در ارتباط با تغییرات دما و شدت میدان الکتریکی در این مدل شناخته شده باشد. چالش پیش رو این است که ضریب گذردهی نسبی ماده دی الکتریک ثابت نبوده و متغیر می باشد، همچنین حلقه هیسترزیسی وجود دارد که مشخصات عایقی نظیر ضریب گذردهی نسبی و ضریب تلفات عایقی در آن بر اساس دما تغییر می کند که در این مقاله با استفاده از روش اجزای محدود و بازسازی حلقه هیسترزیس واقعی ماده تلاش شده است این موضوع مهم، مورد نظر قرار گرفته و قابل حل باشد. انجام این پژوهش به امکان سنجی استفاده از این عایق­ها در ساخت خازن­های فشار قوی و چالش­های پیش رو در این زمینه منجر می گردد. همچنین نتایج آن در امکان سنجی طراحی و ساخت خازن­های فشار قوی و عایق­های با ضرایب دی الکتریک بالا و شناخت چالش­های پیش رو و پیشنهاد مناطق مناسب از لحاظ آب و هوایی (حداقل و حداکثر دما) جهت نصب خازن های مذکور، کارآمد می باشد.

نویسندگان

مجتبی اسدی

کارشناسی ارشد،دانشگاه صنعتی اراک، اراک، ایران

اسعد شمشادی

استادیار، د انشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی اراک، اراک، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Ashim Kumar Bain and Prem_Chand, “Ferroelectrics: Principles and Applications,” pp. ...
  • Sergey I. Shkuratov, Jason Baird, Vladimir G. Antipov, Evgueni F. Talantsev, Allen ...
  • Alexander Sidorkin, Lolita Nesterenko, Yaovi Gagou , Pierre Saint-Gregoire, Eugeniy Vorotnikov, ...
  • Prateek, Vijay Kumar Thakur, and Raju Kumar Gupta, “Recent Progress ...
  • نمایش کامل مراجع