طراحی و شبیه سازی ماسفت با GaAs

در مدارهای دیجیتال نیاز به ترانزیستورهایی می باشد که دارای ولتاژ خاموش پایین ، نسبت جریان روشن به خاموش بالا و شیب زیرآستانه پایین باشد. این مقاله یک مدل دقیق را ارائه می دهد که ویژگی های I-V ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی GaAs را توصیفمی کند. MESFET GaAs یک دستگاه باند پهن است که قادر به تحمل توان بالا در فرکانس های بالا است. مدل پیشنهادی مامی تواند ویژگی های خوبی داشته باشد. تجزیه و تحلیل کامل GaAs MESFET ارائه شده، نشان می دهد که مدل پیشنهادی از دقتبالا نسبت به مدل های دیگر برخوردار است.