طراحی یک سلول حافظه ۵ ترانزیستوره با استفاده از تکنولوژی نانولوله های کربنی

ظرفیت و پیچیدگی دستگاه های مدرن در فناوری آرایه های گیت قابل برنامه ریزی میدانی ( FPGA ) بهسرعت در حال افزایش است. کم کردن توان مصرفی و به حداقل رساندن تاخیر دو هدف اصلی در طراحی مدارهایمجتمع دیجیتال هستند. با توجه به افزایش روزافزون استفاده از دستگاه های قابل حمل با عمر باتری محدود، نیاز بهمدارهای کم مصرف با راندمان بالا می باشد که اولویت اصلی در این دستگاه ها طول عمر باتری است. باتوجه بهاینکه ۲۸ درصد از کل توان مصرفی FPGA در SRAM ها مصرف می شود، بنابراین کاهش توان در SRAM منجربه بهبود توان مصرفی کل در FPGA خواهد شد. از طرفی با ادامه ی روند کوچک سازی و رسیدن به مقیاس نانو،استفاده از ترانز یستورهای سیلیکونی امکان پذیر نخواهد بود و نیاز مبرم به یک فناوری جایگزین خواهیم داشت. درمیان تکنولوژی های نوظهور، تکنولوژی نانولوله های کربنی به دلیل ویژگی های خاص خود، یکی از بهترین جایگزین هابرای مدارهای سیلیکونی می باشد . در این مقاله با توجه به مشکلات و چالش های تکنولوژی CMOS بدنبال روشیمناسب برای جایگزینی در مقیاس های بسیار کوچک می باشیم تا بتوان مداراتی با سرعت بالاتر(تاخیر کمتر) و توان مصرفی پایین تر ارائه داد که در این مقاله با استفاده از فناوری نانولوله های کربنی یک سلول SRAM ۵ ترانیزیستوره پیشنهاد شده که با توجه به نتایج شبیه سازی نسبت به سایر طرح ها علاوه بر کاهش تعداد ترانزیستور، بهبود درتوان و تاخیر داشتیم