مدار مرجع ولتاژ با ضریب دمایی ۲۶/۶ppm و توان مصرفی ۹/۹nW با استفاده از ماسفت های زیرآستانه

آمروزه در بسیاری کاربردها همچون حسگرهای بیسیم. مهندسی پزشکی و تجهیزات قابل حمل. کاهش مصرف انرژی از اولویت زیادی برخورداراست. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ ماسفتی» بدون استفاده از مقاومت یا ترانزیستور دوقطبی با توان مصرفی ۹/۹nW و ولتاز تغذیه ۱Vارائه شده است. برای دستیابی به مرجع ولتاژ با سطح ولتاژ پایین و توان مصرفی کم. تمامی ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده استکه این امر با جریان بایاس نانو آمپری محقق شده است. در این مدار از ولتاژ یک اتصال (PN(PN junction که توسط یک ترانزیستورPMOS ایجاد شده بعنوان ولتاز CTAT استفاده می شود. در مولد ولتاز PTAT، یک طبقه PTAT تفاضلی به یک طبقه مدار PTATآبشاری اضافه شده تا مدار عملکرد بهتری داشته باشد. نتایج حاصل از شبیه سازی پست لی اوت با استفاده از تکنولوژی ۰/۱۸ میکرومترCMOS نشان می دهد که مدار پیشنهادی ولتاز مرجع ۰/۵۹۱V را با ضریب دمایی (۲۶/۶ppm , (TC در محدوده دمایی ۳۵- تا۷۰ تولید می کند. میزان تنظیم خط (LR) و نسبت رد منبع تغذیه (PSRR) به ترتیب ۰.۰۲V% و ۳۵dB بدست آمده است. از آنجا که این مرجع ولتاژ با تعداد محدودی ترانزیستور طراحی شده است، مساحت لی اوت اشغال شده فقط ۰/۰۰۱۷ میلی متر مربع است.