بررسی خواص فوتوولتائیک لایه جاذب CZTS و لایه بافر In۲S۳ بر روی کاشی سرامیکیبرای کاربرد در کاشی خورشیدی

بررسی تکنولوژی سنتز و رشد پوششهای لایه جاذب بر رویزیرلایه کاشی سرامیکی بحث کاملاجدیدی است. ترکیب چهارتایی CZTS به علت فراوانی مواد آن در زمین، قیمت پایین، مواد غیر سمی و همچنین خواصی که برای کاربردهای فوتوولتائیک مطلوب است، در سالهای اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. انتخاب مناسب مواد اولیه و بررسی روشهای مختلف سنتز و دستیابی به مورفولوژی، چسبندگی مناسب، پایداری فازی، خواص فوتوولتائیک و کنترل عیوب ذاتی لایه جاذب CZTS و بافر In۲S۳ را میتوان به عنوان چالشهای اساسی جهت حصول به مواد با کیفیت بالاتر نسبت داد که این مهم با یافتن ترکیب و شرایط سنتز بهینه لایه های جاذب و بافر حاصل خواهد شد. با استفاده از آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD) و پرتو رامان، به مطالعات فازی نمونه های سنتز شده و همچنین شناسایی گروه های عاملی موجود در ترکیبات پرداخته شد. از میکروسکوپ الکترونی روبشی عبوری (FESEM) برای بررسی مورفولوژی سطح و همچنین ریزساختار جوهرهای تهیه شده و برای آنالیز طیف جذبی فرابنفش - مرئی از اسپکتروفوتومتر(UV- Vis Spectrophotometer) استفاده شد.