بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,287
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES04_333
تاریخ نمایه سازی: 22 مرداد 1391
چکیده مقاله:
لایه های نازک آلیاژ حافظه دار NiTi توسط روش کندوپاش مغناطیسی تهیه گردید. به دلیل تولید این لایه ها د ردمای اتاق (پایین) ساختار آنها بلافاصله پس از تولید آمئرف می باشد. پراش پرتوایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و گرماسنجی افتراقی (DSC) با روش غیر هم دما (گرمایش با نرخ ثابت) به منظور بررسی میکرو یاختار، تعیین انرژی فعال سازی و مکانیزم رشد و جوانه زنی بکار برده شد. وابستگی سرعت رشد و دمای کریستالیزاسون با استفاده از الگوهای DSC تعیین گردید. نتایج نشان داد دمای تبلور و ماکزیمم سرعت استحاله فاز آمورف به کریستاله (متبلور) با افزایش نرخ گرمایش، بیشتر می شوند همچین جوانه زنی پیوسته و رشد یک بعدی تحت کنترل فصل مشترک مکانیزم غالب در استحاله می باشند. انرژی فعال سازی نیز 370/94Kj/mole می باشد که با استافده از روش ماتوسیتا و کسینجر اصلاح شده محاسبه گردید.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد دانشور
کارشناسی مهندسی مواد
جعفر خلیل علافی
دانشیار دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند
حسن بیدادی
استاد کامل دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
فرامرز هادیان
مربی دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :