تاثیر دمای تابکاری بر خواص مغناطیسی نانوسیم CoBi الکترانباشت شده در قالب های اکسید آلومینیوم آندی

نانوسیم های آلیاژی CoBi با اندازه قطر یکنواخت و چگالی بالا به روش الکترو انباشت AC در قالب های اکسید آلومینیوم آندایز شده AAO تهیه شدند. حلقه های M-H نانوسیم های CoBi با استفاده از مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی (VSM) اندازه گیری شدند. مقایسه حلقه پسماند با اعمال میدان مغناطیسی در راستای نانوسیم و عمود بر نانوسیم رفتار فرومغناطیسی نانوسیم ها را نشان داد. مقادیر کم نسبت مربعی (Mr/Ms) و میدان وادارندگی (Hc)برای حلقه های مغناطیسی در حالت اعمال میدان در راستای عمود بر نانوسیم نشان داد که ناهمسانگردی وابسته به شکل سهم زیادی برای جهت دهی گشتاورهای مغناطیسی در امتداد محورهای بلند نانوسیم ایفا کرده است. تاثیر تابکاری در دماهای مختلف بر خواص مغناطیسی نانوسیم های CoBi بررسی شده است.