برسی تکنیک های جبرانسازی در تقویت کننده های دو و سه طبقه
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 179
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EESCONF09_023
تاریخ نمایه سازی: 24 بهمن 1401
چکیده مقاله:
ابتدا در این مقاله به برسی تقویت کننده عملیاتی دو طبقه با فناوری cmos ۲۵۰nm bsim۳v۳ در تکنیک های خازنمیلر ، خازن میلر و مقاومت بی اثر، خازن میلر و بافر ولتاژ ، خازن میلر و بافر جریان و تاثیر انها بر روی راندمان خروجیمدار می پردازیم . در ادامه سراغ تقویت کننده های سه طبقه برای راه اندازی بار های بزرگ خازنی میرویم ، به مقایسهروش های جبرانسازی با خازن میپردازیم ، هدف از این کار تاثیر نوع جاگذاری و مهم بودن مقدار خازن جبرانساز در تکنیکهای جبرانسازی است .در تمامی روش های نام برده ، به دو صورت باعث تغییر در عملکرد مدار می شوند ، این روش ها بااضافه کردن صفر ها و قطب های جدید باعث تغییر یا بهبود عملکرد مدار می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدامین مهرابیان
دانشجوی کاردانی الکترونیک دانشگاه چمران رشت
مصطفی خشنود
دکتری برق الکترونیک ،مدرس دانشگاه چمران رشت