برسی تکنیک های جبرانسازی در تقویت کننده های دو و سه طبقه

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 179

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EESCONF09_023

تاریخ نمایه سازی: 24 بهمن 1401

چکیده مقاله:

ابتدا در این مقاله به برسی تقویت کننده عملیاتی دو طبقه با فناوری cmos ۲۵۰nm bsim۳v۳ در تکنیک های خازنمیلر ، خازن میلر و مقاومت بی اثر، خازن میلر و بافر ولتاژ ، خازن میلر و بافر جریان و تاثیر انها بر روی راندمان خروجیمدار می پردازیم . در ادامه سراغ تقویت کننده های سه طبقه برای راه اندازی بار های بزرگ خازنی میرویم ، به مقایسهروش های جبرانسازی با خازن میپردازیم ، هدف از این کار تاثیر نوع جاگذاری و مهم بودن مقدار خازن جبرانساز در تکنیکهای جبرانسازی است .در تمامی روش های نام برده ، به دو صورت باعث تغییر در عملکرد مدار می شوند ، این روش ها بااضافه کردن صفر ها و قطب های جدید باعث تغییر یا بهبود عملکرد مدار می شود.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ، جبرانسازی خازنی ، بافر ولتاژ ، خازن میلر تو در تو

نویسندگان

محمدامین مهرابیان

دانشجوی کاردانی الکترونیک دانشگاه چمران رشت

مصطفی خشنود

دکتری برق الکترونیک ،مدرس دانشگاه چمران رشت