طراحی ساختار نوین ترانزیستور HEMT جهت کاربردهای فرکانس بالا

در این مقاله ساختار جدیدی از تزانزیستور AlGaN/GaN HEMT ارائه گردیده است. ساختار پیشنهادی بر روی ویفر ساختار ترانزیستور HEMT معمولی پیاده سازی شده است. در این ساختار از ایجاد لایه جدید Si۳N۴ بر روی ساختار اولیه به منظور بهبود پاسخ فرکانسی و از لایه اکسید ناخالصی به منظور بهبود بهره جریان استفاده شده است. ساختار پیشنهادی دارای میزان بهره جریان ۱۴۰dB در فرکانس قطع ۸۰ GHz است که نسب به ساختار اولیه و همچنین دیگر ساختارهای ارائه شده در این زمینه بسیار بهبودیافته است. برای مقایسه بهتر دو مدل از ترانزیستور HEMT بوسیله نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی و ارائه شدهاست، که یک مدل شامل ترانزیستور HEMT معمولی و دیگری شامل ترانزیستور HEMT بهبودیافته با اضافه کردن لایه ناخالصی در آن است. نتایج ارائه شده از شبیه سازی این ساختار، استفاده از آن را در مدارات با فرکانسهای بالا توجیح پذیر مینمایاند.