افزاره نانو سیلیکون روی عایق دولایه جهت بهینه سازی اثرات خودگرمایی وکاهش جریان نشتی

در این مقاله یک ساختار جدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه پیشنهاد شده است. در این افزاره از دو لایه عایق مدفون جهت بهبود اثرات خودگرمایی و کاهش سد پتانسیل ناشی از درین استفاده شده است. عایق رویین دارای ثابت دیالکتریک کوچکتر در مقایسه با عایقزیرین میباشد. رسانایی حرارتی عایق زیرین بگونهای است که حداکثر انرژی حرارتی را به زیرلایه منتقل میکند. ما این ساختار را از نظرخصوصیات الکتریکی و دمایی با ساختارهای بالک افزاره سیلیکون روی عایق و الماس مقایسه کردهایم. نتایج شبیه سازی ترانزیستور ۲۲ نانومترسیلیکون روی عایق، با بدنه خیلی نازک، بیانگر کاهش نفوذ میدان الکتریکی از سمت سورس/درین به بدنه میباشد. همچنین، نتایج شبیه سازیموید ۳% افزایش ماکزیمم درجه حرارت ناحیه فعال ترانزیستور و بهبود کاهش سد پتانسیل ناشی از درین قابل مقایسه با افزاره سیلیکون رویعایق پیشنهادی میتوان برای کاهش اثرات خودگرمایی استفاده نمود.