افزودن سلول خازن و مقاومت منفی به خط انتقال گیت تقویت کننده های توزیع شده

در این مقاله یک ساختار جدید تشکیل شده از خازن و مقاومت منفی جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت کننده های توزیع شده ارائه گردیده است . ساختار ارائه شده در خط انتقال گیت تقویت کننده توزیع شده استفاده و مدار حاصل در نرم افزار Advanced Design System (ADS) با استفاده از مدل m CMOS . شبیه سازی گردیده است . خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن های پارازیتی سلول های بهره راکاهش داده، پهنای باند تقویت کننده را افزایش می دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار شده است . مقاومت منفی ایجاد شده تلفات خطوط انتقال را کاهش و پهنای باند را افزایش داده است . بهره ولتاژ شبیه سازی شده ۱۵dB با تغییر بهره ±۰.۵dB در باند ۰.۵-۴۹GHz می باشد. ورودی و خروجی مدار با مقاومت ۵۰Ω تطبیق یافته اند و تلفات برگشتی از ورودی و خروجی به ترتیب زیر -۸.۱۵dB و -۹.۲dB میباشند. این مدار دارای عدد نویزی کمتر از ۴.۶dB و توان مصرفی آن ۹۹ mW از منبع تغذیه ۱.۸v است .