Influence of Deposition Temperature as a Reducing Agent on Synthesis of Reduced Graphene Oxide (RGO) Nanosheets

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 127

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJMSEI-16-1_003

تاریخ نمایه سازی: 1 اسفند 1401

چکیده مقاله:

In this paper we have investigated the physical properties of reduced graphene oxide (RGO) thin films prepared at various substrate temperatures of ۲۳۰, ۲۶۰, ۲۹۰, ۳۲۰ and ۳۵۰ oC using spray pyrolysis technique. We have compared these films from various viewpoints, including structural, morphological, optical, electrical and thermos-electrical properties. XRD analysis showed a phase shift from graphene oxide (GO) to RGO due to elevate the substrate temperature from ۲۰۰ oC to higher temperatures. FESEM images of RGO thin films reveal that a stacked image of irregular and folding nanosheets, and rod-like features at temperatures below and above ۲۹۰ oC; respectively. Optical studies showed that the layers have a relatively high absorption coefficient (∼۰.۸×۱۰۴ to ۱.۷×۱۰۴ cm−۱) in the visible range, with an optical band gap of ۱.۶۷–۱.۸۸ eV. The Hall effect data showed that all samples have a p-type conductivity with a hole concentration of ∼۱۰۱۵ cm−۳, and sheet resistance values of about ۱۰۶ Ω/sq, in agreement with previous reports. The thermoelectric measurements revealed that with increasing applied temperature gradient between the two ends of the samples, the thermoelectric electromotive force (emf) of the prepared RGO thin films increases.

کلیدواژه ها:

Reduced graphene oxide (RGO) ، Nanosheets ، Optical properties ، Electrical properties

نویسندگان

H. Darrudi

School of Physics, Damghan University

M. Adelifard

School of Physics, Damghan University

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Lightcap I.V., Kosel T.H. and Kamat P.V., "Anchoring Semiconductor and ...
  • Ng Y.H., Lightcap I.V., Goodwin K., Matsumura M. and Kamat ...
  • Hu Y.H., Wang H. and Hu B., "Thinnest Two-Dimensional Nanomaterial—Graphene ...
  • Su C., Xu Y., Zhang W., Zhao J., Tang X., ...
  • Zhu Y., Cai W., Piner R.D., Velamakanni A.and Ruoff R.S., ...
  • Li X.L., Wang X.R., Zhang L., Lee S.W. and Dai ...
  • M.D., Park S.J., Zhu Y.W., An J.H., Ruoff R.S., "Graphene-Based ...
  • Freitag M., "Graphene: nanoelectronics goes flat out", Nat. Nanotechnol., ۲۰۰۸, ...
  • Geim A.K and Novoselov K.S. "The rise of graphene". Nat. ...
  • Eda G., Fanchini G. and Chhowalla M., "Large-area ultrathin films ...
  • Becerril H.A., Mao J., Liu Z., Stoltenberg R.M., Bao Z. ...
  • Cote L.J., Kim F. and Huang J., "Langmuir−Blodgett Assembly of ...
  • Watcharotone S., Dikin D.A., Stankovich S., Piner R., Jung I., ...
  • Acik M. and Chabal۱Y.J., "A Review on Reducing Graphene Oxide ...
  • Adelifard M. and Darudi H., "A facile fabrication of chemically ...
  • W.S. Hummers, R.E. Offeman, J. Am. Chem. Soc. ۸۰, ۱۳۳۹ ...
  • Van der Pauw L.J., "A method of measuring specific resistivity ...
  • Tong X., Wang H., Wang G., Wan L., Ren Z. ...
  • Gao W., Alemany L.B., Ci L. and Ajayan P.M., "New ...
  • Manoj P.K., Joseph B, Vaidyan V.K., Sumangala Devi Amma D., ...
  • Tauc J., "Amorphous and Liquid Semiconductors", Plenum, London, ۱۹۷۴, ۴ ...
  • Gilje S., Han S., Wang M., Wang K.L.and Kaner R.B. ...
  • Li D., Muller M.B., Gilje S., Kaner R.B. and Wallace ...
  • Shi H.F., Wang C., Sun Z., Zhou Y., Jin K. ...
  • Patil P.S. and Kadam L.D., "Preparation and characterization of spray ...
  • Bagheri-Mohagheghi M.M, Shahtahmasebi N., Alinejad M.R., Youssefi A. and Shokooh-Saremi ...
  • نمایش کامل مراجع