Siliconization of Molybdenum using glow discharge method
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 145
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JORNA-3-1_003
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1401
چکیده مقاله:
The thin layer of Silicon film has been deposited on molybdenum samples at room temperature for the first time by a mixture of silane and He gas (۹۰ % He+۱۰ % SiH۴) using the glow discharge method as an application of a low -Z protective material to a fusion reactor. Siliconization has been conducted for ۱۷۰ min with the gas pressure of ۴–۶ ×۱۰-۲ torr. the DC power supply parameters were as follows, the anode voltage of ۵۰۰–۶۰۰ V, and the current of ۱۹۰-۲۱۰ mA. The films have been characterized by using scanning electron microscopy, EDX, X-ray diffraction, FTIR, and AFM. SEM images show that the silicon coating covers the entire surface smoothly and there is no boundary for granulation. The thickness of the coating has been estimated to be around ۴۵۰ nm using AFM measurement. The Si-O-Si tensile vibrations and Si-H tensile vibrations have been detected using FTIR method.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M. Omrani
Department of Biotechnology, Persian Gulf Research Studies Center, Persian Gulf University, ۷۵۱۶۹, Bushehr, Iran
M. Ghasemi
Nuclear Energy Research Centre, Physics Department, Persian Gulf University, Bushehr, P. O. Box: ۷۵۱۶۹, Iran
R. Gheisari
Medical Radiation Research Center, Central Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.