Simulation and fabrication of ۳.۵W ۸.۸-۹.۲ GHz power amplifier
محل انتشار: فصلنامه ادوات مخابراتی، دوره: 10، شماره: 4
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 109
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-10-4_004
تاریخ نمایه سازی: 11 اسفند 1401
چکیده مقاله:
This paper presents different steps of simulation and fabrication of a power amplifier, which was realized using a discrete GaN HEMT transistor in the frequency range of ۸.۸-۹.۲ GHz. The required wire bonds and matching circuits were characterized using three-dimensional simulations in HFSS and Momentum ADS software. The fabricated power amplifier provides an output power of ۳.۵W and a power gain of ۱۳ dB.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
mehdi Forouzanfar
Birjand university
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :