یک مدل اسپایس برای IGBT ها و MOSFETهای قدرتی با تمرکز بر EMI/EMC در سیستم های ولتاژ بالا

ما دو مدل از ترانزیستورهای قدرت IGBT)، (MOSFET را توضیح می دهیم. هر دو با موفقیت برای تجزیه و تحلیل تداخل الکترومغناطیسی (EMI) و سازگاری الکترومغناطیسی (EMC) استفاده می شود. و در هنگام مدل سازی سیستم های ولتاژ بالا است PFC)، DC/DC، اینورتر و غیره).در اولین توضیحات ریاضی ما رفتار مدل ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) با بازخورد منفی غیرخطی را معرفی می کنیم. که در لایه های نیمه هادی +p و +n تولید شده ، که در نزدیکی تماس فلزی با امیتر IGBT قرار دارند ، که برای توصیف بهتر خصوصیات دینامیکی ترانزیستور می باشد. این مدل IGBT یک مدل ساده شده از ترانزیستور در اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی(MOSFET)که در IGBT برای ساده سازی استفاده می شود. در دومین مدل میتوانیم رفتار ساده ای از هر دو IGBT ها و ماسفتها مدل سازی کنیم . پارامترهای مدل از جداول اطلاعاتی به دست می آیند و سپس با استفاده از نتایج در یک تست اندازه گیری واحد تنظیم می کنیم. نتایج مدلسازی برای انواع مختلف IGBT ها با روشن و خاموش کردن شکل موج ها اندازه گیری شده و مقایسه می شوند.برای بررسی اعتبار سنجی مدل ها ، تست یک موتور براشلس (بدون جاروبک) را با اینورتر DC راه اندازی می کنیم. باوجود سادگی مدل های ارائه شده ، الف مقایسه مدل پیشبینی ها با اندازه گیریهای سخت افزاری نشان می دهد که مدل دقیق است و پیش بینی گذارایی سوئیچ های EMI-EMC کمک به تحقیقات ما می کند.