طراحی و شبیه سازی حسگر زیستی با استفاده از ترانزیستور اثر میدانی شاتکی با قابلیتپیکربندی مجدد

در این مقاله عملکرد ترانزیستور شاتکی با قابلیت پیکربندی مجدد به عنوان حسگر زیستی مورد بررسی قرار گرفته است. در این ساختار یک نانو حفره در داخل اکسید گبت به منظور انباشتگی مولکولها ایجاد شده است. از ویژ گی های این حسگر آن است که میتواند صرفا با تغییر پلاریته ولتاژ گیت و درین همزمان برای تشخیص مولکولهایی با بار مثبت و منفی استفاده شود. اثر پارامترهای مهم فیزیکی و ساختاری بر عملکرد این افزاره مورد بررسی قرار گرفته است. ضخامت کانال، ارتفاع سد شاتکی و دما از مهمترین عواملی هستند که برحساسیت حسگر تاثیر میگذارند و لازم است مقدار بهینه ای برای آنها تعیین شود.