مقایسه خواص الکتریکی سرامیکهای وریستور ZnO-Bi۲O۳-Sb۲O۳ تهیه شده به روشهای زینتر سنتی و فلش

سرامیک وریستور پایه ZnO-Bi۲O۳-Sb۲O۳ تحت میدان الکتریکی ۳۰۰ V/cm و چگالی جریان ۱۰۰ mA/mm۲ به روش فلش زینتر ساخته شد و خواص آن با نمونه ی زینتر شده به روش مرسوم مقایسه شد. چگالی نمونه فلش زینتر به %۹۵/۶ چگالی تئوری رسید و ریزساختار و فازهای موجود در آن مشابه نمونه زینتر سنتی بود. رسم منحنی E-J نشان داد نمونه ی فلش زینتر شده نیز دارای رفتار غیرخطی و خواص وریستوری است. مقدار ضریب غیرخطی برای نمونه ی فلش و زینتر معمولی به ترتیب ۳۴/۴ و ۴۱/۵ بدست آمد. با استفاده از مدل نشر ترمیونی ارتفاع سد پتانسیل، عرض لایه تهی، چگالی دهنده ها و حالات سطحی در فصل مشترک دانه و مرزدانه تحت میدان الکتریکی DC اندازه گیری شد. مقدار مقاومت الکتریکی مرزدانه که به روش امپدانس الکتروشیمیایی اندازه گیری شد در نمونه فلش زینتر کمتر از نمونه زینتر شده مرسوم شد که دلیل آن عدم زمان کافی برای نفوذ کامل یونها از حجم فاز عایق به مرز دانه است. پایداری نمونه ها با استفاده از روش تعیین خزش جریان در اثر اعمال دما و میدان الکتریکی بررسی شد. نتایج نشان داد نشت جریان در نمونه ی فلش زینتر شده بیشتر از نمونه ی زینتر شده معمولی است.