طراحی مدار ضرب کننده آنالوگ با پاسخ فرکانسی بهبود یافته و منبع ولتاژ پایین

[توضیح سیویلیکا: به دلیل نقص در نمایش فرمولها و تصاویر، اصل مقاله از پایگاه سیویلیکا حذف شد.] در این مقاله طراحی یک ضرب کننده چهار ربعی ولتاژ مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای CMOS که در ناحیه اشباع کار می کنند ارائه می گردد. این ضرب کننده با استفاده از روش سلول گیلبرت عمل ضرف کنندگی را انجام می دهد و با استفاده از یک روش خاص قابلیت ضرب ک نندگی در فرکانس های حدود یک صد گیگاهرتز را دارد. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 0.18µm شبیه سازی شده است. همچنین مدار پیشنهاد شده می تواند به عنوان دو برابر کننده فرکانس مورد استفاده قرار بگیرد. بر طبق نتایج شبیه سازی که در ولتاژ تغذیه 0.5 ولت انجام شده است ورودی ها با رنجی معادل 5mv می باشند. همچنین میزان توان مصرفی به کمتر از 580µW رسیده است. مدار دارای پاسخ فرکانسی 230 گیگاهرتز می باشد.