نوسانساز کنترل شده با ولتاژ کلاس-C دارای مدار تنظیم بایاس جهت افزایش دامنه نوسان و راه اندازی ایمن

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 134

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-53-1_002

تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1402

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدار تنظیم بایاس جدید برای ترانزیستورهای تزویج ضربدری در نوسان ساز LC کلاس-C معرفی شده است که منجر به افزایش دامنه نوسان و کاهش نویز فاز و راه اندازی ایمن تر نسبت به نوسان ساز کلاس-C متداول می گردد. تنظیم ولتاژ بایاس به گونه ای است که در ابتدای نوسان، ولتاژ بایاس بالاتر از ولتاژ آستانه تکنولوژی تنظیم شود تا قدرت راه اندازی نوسان ساز بهبود یابد و سپس وقتی نوسان به حالت پایدار می رسد، ولتاژ بایاس به مقداری کمتر از ولتاژ آستانه تکنولوژی تنظیم گردد تا دامنه نوسان افزایش یابد. در مدار بایاس پیشنهادی، با ترکیب مدار نوسان ساز حلقوی و مدار صافی و دو معکوس گر در طبقه اول، یک سیگنال ولتاژ پله با تغییرات بین صفر تا ولتاژ تغذیه ایجاد می گردد و سپس با اعمال این سیگنال به طبقه دوم و عملکرد سوییچ زنی ترانزیستورها در این طبقه، سیگنال ولتاژ بایاس مناسب فراهم می شود. نوسان ساز پیشنهادی با استفاده از تکنولوژی RF-CMOS ۰.۱۸um طراحی,توسط نرم افزار Cadence شبیه سازی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازی های پست لی اوت، توان مصرفی مدار پیشنهادی mW۲ و نویز فاز در آفست MHz۱ از فرکانس حامل GHz۵، برابر  ۱۲۱.۳dBc/Hz- و ضریب شایستگی برابر با dBc/Hz ۱۹۲. ۲۴ می باشد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

سمانه حقدوست

کارشناسی ارشد، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

پویا ترک زاده

استادیار، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

محمد چهاردوری

استادیار، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . Razavi, RF Microelectronics, Prentice Hall New Jersey, ۲nd Edition, ...
  • . Hajimiri and T. H. Lee, “A general theory of ...
  • . Wu, U. K. Moon and K. Mayaram, “Dependence of ...
  • . Soltanian and P. R. Kinget, “Tail Current-Shaping to Improve ...
  • . Mazzanti and P. Andreani, “Class-C harmonic CMOS VCOs, with ...
  • . Jafari and S. Sheikhaei, “Low phase noise LC VCO ...
  • . Aghabagheri, H. Miar-Naimi and M. Javadi, “A Phase Noise ...
  • . Mansour, A. Zekry, M. K. Ali and b. Shawkey, ...
  • . Fanori and P. Andreani, “Highly efficient class-C CMOS VCOs, ...
  • . Song, B. Kim and S. Nam, “An adaptively biased ...
  • . L. Jang and J. J. Wang, “Low-phase noise Class-C ...
  • . Den, K. Okada, and A. Matsuzawa, “Class-C VCO with ...
  • . Zhu, L. Liang and Y. Yang, “A startup robust ...
  • . Tohidian, A. Fotowat-Ahmadi, M. Kamarei, and F. Ndagijimana, “High-swing ...
  • . R. AhmadiMehr, M. Tohidian and R. B. Staszewski, “Analysis ...
  • Lee , G. Kim , G. Ko, K. Oh, J. ...
  • . عباس نصری و مصطفی یارقلی، «طراحی VCO کلاس C ...
  • . آرزو عطایی فرد، خلیل منفردی و شهرام حسین زاده، ...
  • نمایش کامل مراجع