موجبرهایبریدی سیلیکونی گرافنی با پوشش عایقی با طول انتشار بلند و سطح موثرمد بهبودیافته

در این مقاله یک ساختار موجبرهایبریدی سیلیکون گرافن- به صورت دو بعدی مورد بررسی قرار گرفته است، در این ساختار یک لایه دی الکتریک با ضریب دی الکتریک نسبی بالا بر روی لایه گرافن با زیرلایه سیلیکون قرارداده شده در این ساختار با تنظیم پذیری گرافن می توان تحدید نوری مناسبی در لایه گپ دی اکسید سیلیون (SiO۲) ایجاد کرده تا بتوان طول انتشار به نسبت بلند به حداکثر مقدار ۷۶۰/۱ میکرومتر با سطح موثرمد بهبود یافته با حداقل سطح موثرمد به مقدار ۰/۰۱۸ دست یافت در این ساختار پیشنهادی توان نوری و ضریب شایستگی (FOM) موجبر مورد ارزیابی قرار گرفته که نتایج نشان میدهد این دستگاه عملکرد مناسبی نسبت به دیگر موجبرهاداشته است.