بررسی تاثیر آلایشهای Halo,Retrograde LDD بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه PMOSدر ترانزیستور ۹۰ نانومتری(DIBL)
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 204
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_022
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
چکیده مقاله:
با تغییر مقیاس دادن در ترانزیستورها به علت دست یافتن به عملکرد بهتر و همچنین کم شدن هزینه ساخت آثار کانال کوتاه باعث اختلال در عملکرد افزاره میشوند به همین دلیل در این مقاله به ارزیابی یک ترانزیستور ماسفت نوع P با طول کانال ۹۰ نانومتر می پردازیم نشان می دهیم که با بررسی تغییرات ناخالصی در آلایشهای هاله گون Halo و LDD و Retrograde می توانیم تاثیرات کانال کوتاه را در ترانزیستور ماسفت بهبودببخشیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرش رضایی
مهندسی برق،دانشکده فنی ومهندسی، دانشگاه رازی ، کرمانشاه،ایران
مزدک رادملکشاهی
گروه مهندسی برق ،استادیار دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران