A New Analysis, Design and Fabrication of DVB-T/T۲ LDMOS UHF Broadband Amplifier
محل انتشار: فصلنامه ادوات مخابراتی، دوره: 9، شماره: 3
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 80
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-9-3_001
تاریخ نمایه سازی: 31 اردیبهشت 1402
چکیده مقاله:
In this paper we want to design linear amplifiers for the Multi Frequency Network (MFN) or Single Frequency Network (SFN) digital terrestrial applications for Digital Video Broadcasting-Terrestrial (DVB-T/T۲) transmitters with frequencies of ۴۰۰ to ۹۰۰ MHz, so to achieve this aim, we have used Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) transistor technology has been used. The RF input signal reaches the divider ballun, and then the input of both LDMOS transistors is given and the output of two transistors by the collector balloon reaches the output of the amplifier. We have simulated this design by using the Agilent Design System (ADS) software simulator with a gain more than ۲۴ dB, the (Inter Modulation Distortion (IMD) signal has been attenuated from -۲۹ to -۵۲.۵dBc and Power Added Effeciency (PAE) from ۴۸ to ۶۶% with ۴-stage matching network consisting of capacitors and microstrips with a drain bias voltage of ۲۸ volts and gate bias voltage of ۲.۸۶ volts in the frequency range ۴۰۰ to ۹۰۰ MHz. Eventually all of the circuit is designed on a printed circuit board.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Farbod Setoudeh
Department of Electrical Engineering, Arak University of Technology, Arak, Iran.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :