ساخت سیستم پلاسمونیک و فوتونیک یکپارچه برای سوئیچینگ تمام نوری و با خواندن حافظه

ما یک د ستگاه پلاسمونیک فوتونیک ترکیبی جدید را برای سوئیچینگ تمام نوری و خواندن بیت های آهنربای آهن در مقیاس نانومعرفی میکنیم. پلاسمون-پلاریتون های سطحی امواج الکترومغناطیسی هستند که در امتداد رابط های فلز-دی الکتریک منتشرمی شوند و در طیف وسیعی از فرکانس ها وجود دارند. آنها به دلیل محدودیت طول زیر موج و توانایی بالقوه خود برای انجام اندازهگیری های نوری فوق حساس به ابزارهای تحقیقاتی محبوب تبدیل شده اند. به دلیل پیشرفت فوق العاده در تکنیک های نانوساختو فناوری های لیزر فوق سریع، کاربردهای نانو اپتیک پلاسمون-پلاریتون سطحی فراتر از نانوپلاسمونیک ها است. در این بررسی، مادر مورد چگونگی ا ستفاده از ساختارهای چند لایه ترکیبی با ترکیب عملکردهای مختلف بحث می کنیم که به تو سعه د ستگاه هایپلاسمونیک فعال و مترولوژی های جدید اجازه میدهد. مگنتو پلاسمونیک، آکوستو پلاسمونیک و تولید فوتوالکترون های پرانرژی بااستفاده از پالس های پلاسمون پلاریتون سطحی فوق کوتاه، همگی نمونه هایی از این هستند که چگونه میتوان از ترکیب ایده هایتوسعه یافته در این زمینه ها برای تولید دانش جدید استفاده کرد که منجر به طیف وسیعی از هیجان ها می شود. کاربرد در نانوفوتونیک. دستگاهی که از یک نانوآنتن پلاسمونیک طلای V شکل دوتایی همراه با یک حفره کریستالی فوتونی تشکیل شده است،می تواند سوئیچینگ و خواندن حالت مغناطیسی را در بیت های مغناطیسی در مقیاس نانو با افزایش چگالی انرژی جذب شده و اثرکر مغناطی سی-اپتیکی قطبی (PMOKE) فعال کند. به صورت محلی فراتر از حد پراش. با ا ستفاده از روش دامنه زمانی تفاضلمحدود سه بعدی، به صورت عددی نشان میدهیم که دستگاه ما می تواند وضعیت مغناطیسی را در بیت های هدف تا ۱۰۰ نانومتردر حضور مناطق پسزمینه مغناطیسی مخالف در میدان مسابقه با عرض ۳۰ تا تغییر داده و بخواند. ۱۲۰ نانومتر، به وضوح بهتر ازیک موجبر فوتونیک لخت. دستگاه هیبریدی ما با چالش های جذب ریرخطی در موجبر، PMOKE ضعیف و عدم تطابق اندازهبین ا سپینترونیک و فوتونیک رنده شده یکپارچه مقابله می کند. بنابراین، پیوند گم شده بین فوتونیک یکپارچه و ا سپینترونیک درمقیاس نانو را فراهم میکند و توسعه برنامه های کاربردی پیشرفته روی تراشه فوق سریع و کارآمد انرژی را تسریع می کند.