خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی Ge۴P۲ و Ge۴As۲ در حضور میدان الکتریکی

در این مقاله، خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی با فرمول M۴X۲ (M=Ge, X=P,As) با ساختار لانه زنبوری برای اولین بار بررسی شده است. خواص ساختاری و الکترونیکی تک لایه های این گروه از مواد به صورت نظری با استفاده از روش های محاسباتی بررسی می شود. در ابتدا، در غیاب میدان الکتریکی خارجی خواص الکترونیکی تک لایه Ge۴P۲ و Ge۴As۲ محاسبه شده است سپس میدان الکترونیکی اعمال شده و تغییر شکاف انرژی در حضور میدان الکتریکی بررسی می شود. ساختار باند برای این مواد با تقارن نقطه ای به دست آمده است. در ادامه، چگالی حالت ها اطراف سطح فرمی برای پیدا کردن اوربیتال تاثیر گزار مطالعه شده است. تک لایه Ge۴P۲ ، Ge۴As۲ یک نیمه رسانا با شکاف انرژی پایین است.