رسانندگی های طولی در لایه نازک عایق توپولوژیک مغناطیسی با ضخامت ۳ نانومتر

یک لایه نازک عایق توپولوژیک مغناطیسی را در حضور ناخالصی های مغناطیسی در نظر بگیرید. ناخالصی های مغناطیسی در صفحه هایی عمود بر سطوح لایه نازک قرار دارند. در این سیستم دو نوع جریان طولی داریم. در نوع اول، جریان عمود بر صفحه-ها و در نوع دوم جریان موازی صفحه ها از سیستم عبور می کنند. با استفاده از رهیافت بولتزمن و زمان واهلش تعمیم یافته، رسانندگی های طولی این سیستم را محاسبه می کنیم. مشاهده می شود که مقدار هر دو نوع رسانندگی طولی به جهت ناخالصی ها مغناطیسی بستگی دارند. برای لایه نازک به ضخامت ۳ نانومتر، با افزایش زاویه ناخالصی ها نسبت به خط عمود بر سطوح، رسانندگی طولی نوع اول یک بیشینه را نشان می دهد اما رسانندگی طولی نوع دوم با افزایش زاویه افزایش می یابد و در زاویه ۹۰ درجه بی نهایت می شود. در ادامه اثر افزایش مغناطش را روی رسانندگی های طولی بررسی کردیم. مشاهده می شود که با افزایش مغناطش رسانندگی طولی نوع دوم کاهش می یابد درحالی که افزایش مغناطش در یک ناحیه باعث کاهش رسانندگی نوع اول و در ناحیه دیگر باعث افزایش آن می شود.