بررسی مقایسه ای جمع کننده های تک بیتی در تکنولوژی ۱۶ نانومتر FinFET

جمع کننده ها یکی از اجزای اصلی مدارهای DSP و اساس همه مدارهای محاسباتی دیجیتال به شمار می آیند و بخش قابل توجهی از سرعت تراشه ها را به خود اختصاص می دهند. امروزه با گسترش روزافزون تکنولوژی ساخت نیمه هادی، کاهش مقیاس تکنولوژی، کاهش سطح ولتاژ و افزایش پیچیدگی سیستم ها، نیاز به جمع کننده های پرسرعت و کم توان افزایش یافته است. استفاده از تکنولوژی FinFET به دلیل مقیاس پذیری بیشتر، کارایی بهتر، سرعت بالاتر و قابلیت بالای کنترل گیت های آن در مقیاس نانو در صنعت میکرو الکترونیک جایگاه ویژه ای به خود اختصاص داده است. شبیه سازی ها برای همه جمع کننده های تک بیتی در نرم افزار HSPICE با استفاده از مدل PTM در دو تکنولوژی ۱۶ نانومتر MOSFET و FinFET تحت دمای ℃ ۲۵ و ولتاژ تغذیه V ۸/۰ انجام شده است. از این رو در این مقاله به بررسی مقایسه ای جمع کننده های تک بیتی در تکنولوژی ۱۶ نانومتر FinFET می پردازیم.نتایج شبیه سازی نشان می دهند که جمع کننده های فین فتی به واسطه استفاده از ساختار FinFET به جای MOSFET، به ترتیب عملکرد بهتری را از لحاظ تاخیر، PDP و EDP از خود نشان می دهند.