BIMS : ساختار توکار میانی حافظه برای بهبود حافظه های تغییر فاز چندسطحی
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 83
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-3_038
تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله، روشی به نام ساختار توکار میانی حافظه (BIMS) را معرفی خواهیم کرد که باعث کاهش انرژی مصرفی و زمان دسترسی حافظه های اصلی ساخته شده با فناوری حافظه های تغییر فاز (PCM) خواهد شد. این روش از قابلیت افزاره های PCM که قادر هستند هم به صورت سلول تک سطحی (SLC) و هم چندسطحی (MLC) مورد استفاده قرار بگیرند، استفاده می کند. در این روش، داده ها به صورت پیش فرض در سلول هایی با قابلیت ذخیره سازی بیشتر از یک بیت ذخیره می شوند. اما مکانیزم داخلی این روش، سلول های صفحات فیزیکی بلا استفاده را به سلول های تک سطحی تبدیل می کند. با استفاده از این صفحات، لایه ای بین حافظه ی نهان پردازنده و صفحات اصلی به وجود می آورد که می تواند دستورات خواندن و نوشتن در حافظه را در مدت زمان کمتر و با انرژی کمتر پاسخ دهد. این لایه میانی، بسیاری از دسترسی ها به صفحات با افزاره های MLC را با جذب آن ها از بین می برد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید صابر نبوی لاریمی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
مهدی کمال
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
علی افضلی کوشا
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشکده فنی - دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :