رشد براراستی لایه های GaAs/AlxGa۱-xAs و بررسی مشخصات آنها
سال انتشار: 1374
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 59
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJCM-3-1_001
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1402
کلیدواژه ها:
Liqlll'd Phase Epitaxy ، supercooled Liquid ، substrate ، رشد برآراستی ، فاز مایع ابر سرد ، منحنی فاز ، زیر لایه
نویسندگان
مهدی اسکوئی
دانشگاه صنعتی شریف تهران
علیرضا امینی
سازمان انرژی اتمی مرکز تحقیقات لیزر
مصطفی ترکاشوند
سازمان انرژی اتمی مرکز تحقیقات لیزر
سید فیض الله انواری
مرکز پژوهشگاه صنعت نفت