A Ultra Wideband (۵–۵۰ GHz) and Low Power Active Balun Using ۰.۱۸ µm CMOS technology
محل انتشار: فصلنامه ادوات مخابراتی، دوره: 2، شماره: 4
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 28
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TDMA-2-4_005
تاریخ نمایه سازی: 28 مرداد 1402
چکیده مقاله:
A new ultra wideband ۵ to ۵۰ GHz and low power single ended input, differential output active balun using ۰.۱۸µm CMOS technology is presented in this paper. Using a pair of common-source and common gate NMOS transistors with utilize active load PMOS transistors. Total power consumption of the proposed active balun circuit is ۵mw at the supply voltages of ±۱.۲v much less than ۱۱.۵mw of the conventional active balun.
کلیدواژه ها: