کاهش توان و بهبود عملکرد OTA چهار طبقه بر اساس جایگزین نمودن ترانزیستورهای CNTFETبجای MOSFET

این پژوهش در خصوص معماری یک طبقه ی تفاضلی آبشاری شده با سه طبقه سورس مشترک می باشد که کلیه ترانزیستور های MOSFET با مدل CNTFET جایگزین شده است .در سالهای اخیر در تلکنولوژی CMOS به منظور استفاده از بهره DC خیلی بالا ، از تقویت کنندههای چند طبقه استفاده شده است که طراحی و بهره برداری در فرکانس های بالا ( محدوده ( GHz با توجه به پایداری گین ، فاز و کاهش توان مصرفی یک کار چالش برانگیز است ، به ویژه وقتی که تکنولوژیهای نانومتری در اختیار گرفته شوند.این تقویت کننده که بر اساس ترانزیستور CNTFET طراحی شده است از لحاظ کاهش توان مصرفی ، عملکرد گین پهنای باند (GBW) و Phase، نسبت به طراحی نوع MOSFET باتوجه به شبیه سازی انجام شده بهبود قابل توجه ای کسب نموده است .