طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه با روش جبران سازی بافر جریان

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 88

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EITCONF02_014

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1402

چکیده مقاله:

دراین مقاله ، هدف طراحی و شبیه سازی تکنیک جبران سازی تقویت کننده های سه طبقه طبقه همراه با بافر جریان CMOS ۰.۳۵μm می باشد.علاوه بر آن از دو تقویت کننده عملیاتی دوطبقه کلاسیک در فناوری با استراتژی بافر جریان طراحی شده است. در ادامه مقاله ما نشان خواهیم داد که این عمل چگونه بر روی پارامترهای الکتریکی پهنای باند بهره واحد و افست نتیجه خواهد داد.در ادامه مطالب ما به صورت کامل در جبران سازی به روش بافر جریان که برای جبران صفرسمت راست ناشی از خازن میلراستفاده میشود. اگرچه پیاده سازی این ساختاراندکی دشوارتر به نظر می رسد اما مزیت اصلی این روش نسبت به بافر ولتاژ، عدم کاهش سوینگ خروجی است.

کلیدواژه ها:

جبران سازی ، بافر جریان ، تقویت کننده دو طبقه ، حاشیه فاز ، تقویت کننده سه طبقه

نویسندگان

سیدامیر هاشمی

دانشجوی کاردانی الکترونیک،دانشگاه چمران رشت

مصطفی خشنود

دکتری برق الکترونیک،مدرس دانشگاه چمران رشت