A ۰.۴V, ۷۹۰µW CMOS Low Noise Amplifier in the Sub-Threshold Region at ۱.۵GHz
محل انتشار: مجله مهندسی برق مجلسی، دوره: 7، شماره: 4
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 37
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MJEE-7-4_002
تاریخ نمایه سازی: 3 آبان 1402
چکیده مقاله:
A fully integrated low-noise amplifier (LNA) with ۰.۴V supply voltage and ultra-low power consumption at ۱.۵GHz by folded cascode structure is presented. The proposed LNA is designed in a TSMC ۰.۱۸ µm CMOS technology, in which the all transistors are biased in sub-threshold region. Through the use of the proposed circuit for the gain enhancement in this structure and using forward body bias technique, a very high figure of merit is achieved, in comparison to the similar structures. The LNA provides a power gain of ۱۴.۷bB with a noise figure of ۲.۹dB while consuming only ۷۹۰µW dc power. Also, the impedance matching of the input and output circuit in its operating frequency is desirable and in the whole circuit bandwidth, input and output isolation is below -۳۳dB.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Amin Zafarian
Electrical Engineering Department, Islamic Azad University Branch Of Arak, Iran
Iraj Kalali Fard
Institute of Communication Systems and Data Processing, RWTH Aachen University
Abbas Golmakani
Electrical Engineering Department, Sadjad Institute for Higher Education, Mashhad, Iran
Jalil Shirazi
Electrical Engineering Department, Islamic Azad University Branch Of Gonabad, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :