ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 8، شماره: 3
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 42
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-8-3_001
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله نمونههای حجمی و لایههای نازک فریت استرانسیوم مورد مطالعه قرار گرفته اند. بزرگ بودن مقاومت ویژه در فریت استرانسیوم، تلفات ناشی از جریانهای گردابی را کاهش داده و به همین جهت، می توان از آن در مدارهای مغناطیسی مخصوص فرکانسهای بزرگ، استفاده کرد. از طرف دیگر خاصیت مغناطیسی دائم فریت استرانسیوم نیز بسیار مورد توجه است. در ابتدا به فرآیند تهیه نمونههای حجمی فریت استرانسیوم به روش حالت جامد میپردازیم. برای به دست آوردن خواص مغناطیسی بهتر، در ساخت نمونهها از عامل استوکیومتری (n) یعنی نسبت / SrO ۳ O ۲ Fe به مقدار ۲۵/۵ استفاده شد. برای کنترل رشد دانهها در ساختار نمونهها از افزودنیهای CaO و ۲ SiO استفاده کردیم. نمونهها به دو صورت همسانگرد و ناهمسانگرد تهیه شدند. برای تهیه نمونههای ناهمسانگرد از میدان مغناطیسی حدود T ۱ برای جهت دهی دانهها در حین پرس نمونهها، استفاده شده است. سپس به منظور بررسی و مقایسه خواص ساختاری و مغناطیسی نمونههای همسانگرد و ناهمسانگرد از پراش پرتو x ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX و مغناطیس سنج استفاده شد. نتایج نشان می دهند که در اثر اعمال میدان، خواص ساختاری و مغناطیسی نمونههای ناهمسانگرد به طور قابل ملاحظه، بهبود مییابد که دلیل آن چرخش ذرات در اثر اعمال میدان، هنگام پرس کردن نمونه است. در مرحله بعد با استفاده از نمونههای حجمی، لایههای نازک فریت استرانسیوم را به روش تپش لیزری (PLD) تهیه کردیم. در تهیه لایه نازک از زیرلایه (۱۱۱) Si استفاده شد. سپس بررسی ساختار لایهها را توسط پراش پرتو x ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX انجام دادیم. این بررسیها روی نمونههای مختلف نشان دادکه برای تشکیل فاز بلوری فریت استرانسیوم باید دمای زیرلایه بالاتر از ˚ C ۸۰۰ انتخاب شود. شرایط بهینه برای ساخت لایههای نازک فریت استرانسیوم، در دمای زیر لایه ˚C ۸۴۰ و فشار اکسیژن mtorr ۷۵ به دست آمد.
کلیدواژه ها: