بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO۲با استفاده از آزمون بیضی سنجی
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 14، شماره: 2
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 48
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-14-2_006
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
sio۲در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (TEOS )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(۶۰۰– ۴۰۰) درجه سانتی گراد پرداخته شده UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های نازک سیلیکا به دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین ۹/۴ و ۲/۱۶، چگالی کم ۲ و ضریب دی الکتریک پایین ۲ است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پروانه سنگ پور
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
کمیل خسروی
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
محمود کاظم زاد
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :