نانوساختارهای بی نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 13، شماره: 3
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 49
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-13-3_010
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف ۲% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-Si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
- زهرا نوربخش
دانشگاه صنعتی اصفهان
- مارک لاسک
دانشگاه صنعتی اصفهان
- سیدجواد هاشمی فر
کلرادو اسکول آو ماینز
- هادی اکبرزاده
دانشگاه صنعتی اصفهان